近日，NEO Semiconductor公布，推出全世界首款用在AI芯片的超高带宽内存（X-HBM）架构。

X-HBM基在NEO专有的3D X-DRAM架构，冲破了持久以来带宽及密度方面的限定，代表了内存技能的庞大奔腾。比拟之下，仍于开发中、估计将在2030年摆布上市的HBM5估计仅撑持4K位数据总线及每一芯片40Gbit的容量。

韩国科学技能院(KAIST)近来的一项研究猜测，纵然是估计在2040年摆布上市的HBM8，也只能提供16K位总线及每一芯片80Gbit的容量。比拟之下，X-HBM提供32K位总线及每一芯片512Gbit的容量，使AI芯片设计职员可以或许绕过传统HBM技能陪同的长达十年的机能瓶颈。

据悉，X-HBM的带宽是现有内存技能的16倍，密度是现有内存技能的10倍。

NEO Semiconductor指出，X-HBM旨于满意天生式AI及高机能计较日趋增加的需求，其32Kbit数据总线及单芯片高达512Gbit的存储容量，带来无与伦比的机能，显著冲破了传统HBM的局限性，带宽晋升16倍，密度晋升10倍。